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壓敏電壓U1mA

壓敏電阻的電流為1mA時(shí)所對(duì)應(yīng)的電壓作為I隨U迅速上升的電壓大小的標(biāo)準(zhǔn)，該電壓用U1mA表示，稱為壓敏電壓。壓敏電壓是ZnO壓敏電阻器伏安曲線中預(yù)擊穿區(qū)和擊穿區(qū)轉(zhuǎn)折點(diǎn)的一個(gè)參數(shù)，一般情況下是一般情況下是1mA（Φ5 產(chǎn)品為0.1mA）直流電流通過(guò)時(shí)，產(chǎn)品的兩端的電壓值，其偏差為±0.1%。

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壓敏電阻連續(xù)工作電壓壽命，即壓敏電阻在規(guī)定環(huán)境和系統(tǒng)電壓條件下應(yīng)能可靠地工作規(guī)定的時(shí)間（h）。由于壓敏電阻總是承受著穩(wěn)態(tài)工作電壓應(yīng)力的作用，壓敏電阻的壽命是與漏電流密切相關(guān)的。在不發(fā)生機(jī)械或其他電氣性能失效的情況下，壓敏電阻的壽命主要由漏電流IR（密度JR）及其溫度、電壓和時(shí)間的上升情況所決定。隨著漏電流IR（密度JR）升高，發(fā)熱量增大，若這個(gè)能量不能散失，元件的溫度會(huì)很快上升，這種元件在維持一段初始穩(wěn)定狀態(tài)后，終將達(dá)到熱失控（擊穿）的溫度而結(jié)束其使用壽命。

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壓敏電阻交流作用下的老化機(jī)理

交流作用下。在正半周時(shí)，假設(shè)右側(cè)為正極性，電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上，使右側(cè)的Zni向晶界遷移，而左側(cè)所加電壓很低，Zn

i向晶粒內(nèi)遷移不大；在負(fù)半周，電壓主要加在左側(cè)，使左側(cè)Zni向晶界遷移，右側(cè)這時(shí)所加電壓很低，Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大?？偟慕Y(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移。

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